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參數資料
| 型號： | HYB18S128160TE-3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
| 中文描述： | 記憶譜 |
| 文件頁數： | 1/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 2148K |
| 代理商： | HYB18S128160TE-3 |
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M E M O R Y S P E C T R U M
Product Information 2004
N e v e r s t o p t h i n k i n g .
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25S128160TE-3 | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
| HYB18D128160TE-3 | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
| HYB39D128160TE-3 | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
| HYB18T128160TE-3 | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
| HYB25T128160TE-3 | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T1G400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68 |
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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