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參數資料
型號: HYB18S1G160TE-3
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
中文描述: 記憶譜
文件頁數: 1/28頁
文件大小: 2148K
代理商: HYB18S1G160TE-3
M E M O R Y S P E C T R U M
Product Information 2004
N e v e r s t o p t h i n k i n g .
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參數描述
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HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
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