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參數資料
型號: HYB18T512400AF-5
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: CAP.00027UF 16V PPS FILM 0603 5%
中文描述: 512兆雙數據速率2內存
文件頁數: 1/33頁
文件大小: 936K
代理商: HYB18T512400AF-5
HYS72T64000[G/H]R-x-A
(512 MByte)
HYS72T128000[G/H]R-x-A
(1 GByte)
HYS72T128020[G/H]R-x-A
(1 GByte)
HYS72T256020[G/H]R-x-A
(2 GByte)
HYS72T256220[G/H]R-x-A
(2 GByte)
DDR2 Registered Memory Modules
Memory Products
N e v e r s t o p t h i n k i n g .
Data Sheet, Rev. 0.85, Apr. 2004
相關PDF資料
PDF描述
HYS72T128000GR DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T128000HR DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T256020GR DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T256020HR RES 1.1 OHM 1/16W 5% 0402 SMD
HYS72T256220GR DDR2 Registered Memory Modules
相關代理商/技術參數
參數描述
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
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