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參數資料
| 型號： | HYB18T512800AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | DDR2 Registered Memory Modules |
| 中文描述： | 注冊的DDR2內存模塊 |
| 文件頁數： | 1/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | HYB18T512800AF |
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HYS72T64000[G/H]R-x-A
(512 MByte)
HYS72T128000[G/H]R-x-A
(1 GByte)
HYS72T128020[G/H]R-x-A
(1 GByte)
HYS72T256020[G/H]R-x-A
(2 GByte)
HYS72T256220[G/H]R-x-A
(2 GByte)
DDR2 Registered Memory Modules
Memory Products
N e v e r s t o p t h i n k i n g .
Data Sheet, Rev. 0.85, Apr. 2004
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512800AF-37 | 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM |
| HYB18T512800AF-5 | 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM |
| HYB25D128160CE-5 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400CE-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128800CE-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3.7 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| HYB25D128160AT-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
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