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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D512160AT-6 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 1/90頁 |
| 文件大小： | 3191K |
| 代理商： | HYB25D512160AT-6 |
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N e v e r s t o p t h i n k i n g .
HYB25D512[40/80/16]0B[C/T]
HYB25D512[40/80/16]0B[E/F]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
DDR SDRAM
Data Sheet, Rev. 1.2, June 2004
Memory Products
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D512160AT-7 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512160TCL-75 | MEMORY SPECTRUM |
| HYB25D512400AT | CAP .0027UF 16V PPS FILM 0603 2% |
| HYB25D512400AT-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400AT-7 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D512400BR-7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:128M X 4 DDR DRAM MODULE, P66 Pin Plastic SMT |
| HYB25D512400CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB25D512800CE-5 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB25D512800CE-6 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB25DC512160CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: |
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