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參數資料
| 型號： | HYB5116400BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO26 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SO-26 |
| 文件頁數： | 1/26頁 |
| 文件大小： | 325K |
| 代理商： | HYB5116400BJ-60 |
Semiconductor Group 1 1.96
4 194 304 words by 4-bit organization
0 to 70 °C operating temperature
Performance:
Single + 5 V (
±
10 %) supply
Low power dissipation
max. 550 active mW (-50 version)
max. 495 active mW (-60 version)
max. 440 active mW (-70 version)
11 mW standby (TTL)
5.5. mW standby (MOS)
Output unlatched at cycle end allows two-dimensional chip selection
Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh,
self refresh and test mode
Fast page mode capability
All inputs, outputs and clocks fully TTL-compatible
4096 refresh cycles / 64 ms
Plastic Package:
P-SOJ-26/24 300 mil
P TSOPII-26/24 300 mil
-50
-60
-70
tRAC
tCAC
tAA
tRC
tPC
RAS access time
50
60
70
ns
CAS access time
13
15
20
ns
Access time from address
25
30
35
ns
Read/Write cycle time
90
110
130
ns
Fast page mode cycle time
35
40
45
ns
4M x 4-Bit Dynamic RAM
Advanced Information
HYB5116400BJ -50/-60/-70
HYB5116400BT -50/-60/-70
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB5116400BJ-70 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116400BT-50 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116400BT-60 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116400BT-70 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116405BT-50 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB5116400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116400BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116400BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116400BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116405BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
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