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參數資料
| 型號： | HYB5116405BT-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| 文件頁數： | 1/28頁 |
| 文件大小： | 323K |
| 代理商： | HYB5116405BT-70 |
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Semiconductor Group 1 1.96
4 194 304 words by 4-bit organization
0 to 70 °C operating temperature
Performance:
Single + 5 V (
±
10 %) supply
Low power dissipation
max. 550 mW active (HYB5116405BJ/BT-50)
max. 495 mW active (HYB5116405BJ/BT-60)
max. 440 mW active (HYB5116405BJ/BT-70)
max. 660 mW active (HYB5117405BJ/BT-50)
max. 605 mW active (HYB5117405BJ/BT-60)
max. 550 mW active (HYB5117405BJ/BT-70)
11 mW standby (TTL)
5.5. mW standby (MOS)
Output unlatched at cycle end allows two-dimensional chip selection
Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh,
self refresh and test mode
Hyper page mode (EDO) capability
All inputs, outputs and clocks fully TTL-compatible
4096 refresh cycles / 64 ms for HYB5116405BJ/BT (4k-Refresh)
2048 refresh cycles / 32 ms for HYB5117405BJ/BT (2k-Refresh)
Plastic Package:
P-SOJ-26/24 300 mil
P TSOPII-26/24 300 mil
-50
-60
-70
tRAC
tCAC
tAA
tRC
tHPC
RAS access time
50
60
70
ns
CAS access time
13
15
20
ns
Access time from address
25
30
35
ns
Read/Write cycle time
84
104
124
ns
Hyper page mode (EDO)
cycle time
20
25
30
ns
HYB5116405BJ/BT -50/-60/-70
HYB5117405BJ/BT -50/-60/-70
4M x 4-Bit Dynamic RAM
2k & 4k Refresh
(Hyper Page Mode- EDO)
Advanced Information
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB5116405BJBT-50- | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116405BT-60 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5117405BT-60 | RP12 (A) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 24V; Output Voltage (Vdc): 12V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 12 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Over Current Protection; Five-Sided Shield; Standard DIP24 and SMD-Pinning; Efficiency to 88% |
| HYB5117405BT-70 | POWERLINE: RP12-S_DA - 2:1 Wide Input Voltage Range- 12 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Over Current Protection- Five-Sided Continuous Shield- Standard DIP24 and SMD-Pinning- Efficiency to 88% |
| HYB5117405BJ-60 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB5116800AJ-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB5116800AJ-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB5116800AJ-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB5116800AJ-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB5117400AJ-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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