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參數資料
型號: HYB514400BJL-60
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述: 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20
文件頁數: 1/24頁
文件大小: 124K
代理商: HYB514400BJL-60
Semiconductor Group
1
1998-10-01
1 048 576 words by 4-bit organization
0 to 70
°
C operating temperature
Fast Page Mode Operation
Performance:
Single + 5 V (
±
10 %) supply with a built-in VBB generator
Low power dissipation
max. 660 mW active (-50 version)
max. 605 mW active (-60 version)
Standby power dissipation:
11 mW max. standby (TTL)
5.5 mW max. standby (CMOS)
Output unlatched at cycle end allows two-dimensional chip selection
Read, write, read-modify write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh,
hidden refresh and test mode capability
All inputs and outputs TTL-compatible
1024 refresh cycles / 16 ms
Plastic Packages: P-SOJ-26/20-2 with 300 mil width
-50
-60
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
PC
RAS access time
50
60
ns
CAS access time
13
15
ns
Access time from address
25
30
ns
Read/Write cycle time
95
110
ns
Fast page mode cycle time
35
40
ns
1M
×
4-Bit Dynamic RAM
Advanced Information
HYB 514400BJ-50/-60
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PDF描述
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