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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM324000GD- |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | CAP 0.5PF 50V +/-0.1PF THIN-FILM SN96/AG4/NI 30PPM TR-7-PA |
| 中文描述： | 4米× 32位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器模塊小外形內(nèi)存模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | HYM324000GD- |
Semiconductor Group
181
11.94
4M
×
32-Bit Dynamic RAM Module
SMALL OUTLINE MEMORY MODULE
HYM 324000GD-50/-60
Preliminary Information
4 0194 034 words by 32-bit organization
Fast access and cycle time
50 ns access time
95 ns cycle time (-50 version)
60 ns access time
110 ns cycle time (-60 version)
Fast page mode capability with
35 ns cycle time (-50 version)
40 ns cycle time (-60 version)
Single + 3.3 V (
±
0.3 V) supply
Low power dissipation
max. 1008 mW active (-50 version)
max. 864 mW active (-60 version)
LVCMOS – 1.8 mW standby
TTL
– 14.4 mW standby
CAS-before-RAS refresh, RAS-only-refresh. Self Refresh
2 decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs and clock fully TTL compatible
72 pin, dual read-out, one bank, Small Outline DIMM Module
Utilizes two 4M
×
16 -DRAMs (HYB 3165160T)
4096 refresh cycles / 64 ms
Gold contact pad
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM324000GD-50 | CAP 0.5PF 50V +/-0.2PF THIN-FILM SN96/AG4/NI 30PPM TR-7-PA |
| HYM324000GD-60 | 4M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE |
| HYM324025S-60 | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM324025S | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM324025S-50 | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM324000GD-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE |
| HYM324000GD-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE |
| HYM324020GD-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM324020GD-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM324020GDL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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