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參數資料
| 型號： | HYS64V16220GU-10 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3 V 8M x 64/72-Bit 1 Bank SDRAM Module 3.3 V 16M x 64/72-Bit 2 Bank SDRAM Module |
| 中文描述： | 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8 ns, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁數： | 1/15頁 |
| 文件大小： | 248K |
| 代理商： | HYS64V16220GU-10 |
INFINEON Technologies
1
9.01
144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
64MB & 128 MB PC100 / PC133
HYS64V8200GDL
HYS64V16220GDL
144 Pin Eight Byte Small Outline Dual-In-Line Synchronous DRAM Modules
for PC 100 and PC133 notebook applications
one bank 8M x 64 and two bank 16M x 64 non-parity module organisation
Performance:
Single +3.3V(
±
0.3V ) power supply
Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence
(Sequential & Interleave)
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh
Decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs are LVTTL compatible
Serial Presence Detect with E
2
PROM
Uses 8M x 16 128Mbit SDRAM components
4096 refresh cycles every 64 ms
Gold contact pad, JEDEC MO-190 outline dimensions
This module family is fully compliant with the latest INTEL SO-DIMM layout and electrical
specification
All PC133 modules are fully backward compatible for PC100 applications.
-7
-7.5
-8
PC133
2-2-2
PC133
3-3-3
PC100
2-2-2
Units
f
CK
Clock frequency (max.)
133
133
100
MHz
t
AC
Clock access time
5.4
5.4
6
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HYS64V8200GU-8B | 3.3 V 8M x 64/72-Bit 1 Bank SDRAM Module 3.3 V 16M x 64/72-Bit 2 Bank SDRAM Module |
| HYS64V16300GU-75-C2 | 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules |
| HYS64V32220GU-75-C2 | 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules |
| HYS72V16300GU-75-C2 | 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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