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IDT6116SA35SOI

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

IDT6116SA35SOI
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
28738
Renesas Electronics Corpo
24-SOIC (0.295", 7.5
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

IDT6116SA35SOI
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
75005
Renesas Electronics Corpo
24-SOIC (0.295", 7.5
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

IDT6116SA35SOI
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
IDT, Integrated Device Te
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十

IDT6116SA35SOI
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
IDT
原廠封裝
05+
-

IDT6116SA35SOI
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83267816
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
10001
IDT, Integrated Device Te
24-SOIC（0.295"，7.50m
12+
-
授權(quán)分銷現(xiàn)貨熱賣

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功能描述
IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC
RoHS
否
類別
集成電路 (IC) >> 存儲器
系列
-
產(chǎn)品變化通告
Product Discontinuation 26/Apr/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝
136
系列
-
格式 - 存儲器
RAM
存儲器類型
SRAM - 同步，DDR II
存儲容量
18M（1M x 18）
速度
200MHz
接口
并聯(lián)
電源電壓
1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度
0°C ~ 70°C
封裝/外殼
165-TBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
165-CABGA（13x15）
包裝
托盤
其它名稱
71P71804S200BQ

IDT6116SA35SOI 技術(shù)參數(shù)

IDT6116SA35SO8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116SA35SO 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116SA25TPI 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24DIP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116SA25TP 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24DIP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116SA25SOI8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116SA45TP IDT6116SA45TPG IDT6116SA45TPGI IDT6116SA45TPI IDT70824L20G IDT70824L20PF IDT70824L20PF8 IDT70824L25G IDT70824L25PF IDT70824L25PF8 IDT70824L25PFI IDT70824L25PFI8 IDT70824L35G IDT70824L35PF IDT70824L35PF8 IDT70824S20G IDT70824S20PF IDT70824S20PF8