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IRF8327STRPBF

配單專家企業(yè)名單
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  • 封裝
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  • 操作
  • IRF8327STRPBF
    IRF8327STRPBF

    IRF8327STRPBF

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • IR

  • DIPSOP

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • IRF8327STRPBF
    IRF8327STRPBF

    IRF8327STRPBF

  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:18724450645

    地址:東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號2棟2樓

  • 672

  • INFINEON

  • NA

  • 25+

  • -
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  • IRF8327STRPBF
    IRF8327STRPBF

    IRF8327STRPBF

  • 深圳市大源實業(yè)科技有限公司
    深圳市大源實業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:李女士

    電話:1530261991513762584085

    地址:深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場C座707室

  • 14600

  • IR

  • DirectFET

  • 24+

  • -
  • 原裝,公司部分現(xiàn)貨,有單來談QQ:161...

  • IRF8327STRPBF
    IRF8327STRPBF

    IRF8327STRPBF

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • IRF8327STRPBF
    IRF8327STRPBF

    IRF8327STRPBF

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 27200

  • IR

  • DIRECTFET

  • 假一賠十?。?/p>

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  • 絕對原裝現(xiàn)貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共39條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
IRF8327STRPBF 技術(shù)參數(shù)
  • IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 2.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF820 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):315pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 5.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1850pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF840ASTRR IRF840ASTRRPBF IRF840B IRF840BPBF IRF840L IRF840LC IRF840LCL IRF840LCLPBF IRF840LCPBF IRF840LCS IRF840LCSPBF IRF840LCSTRL IRF840LCSTRR IRF840LCSTRRPBF IRF840LPBF IRF840PBF IRF840S IRF840SPBF
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