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IS43DR86400E-3DBLI

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

IS43DR86400E-3DBLI
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10
ISSI
con
24+
-
存儲器

IS43DR86400E-3DBLI
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10
ISSI
con
24+
-
存儲器

IS43DR86400E-3DBLI-TR
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
73133
ISSI, Integrated Silicon
60-TFBGA
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

IS43DR86400E-3DBLI
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
90880
ISSI
BGA-60
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

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IS43DR86400E-3DBLI PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

IS43DR86400E-3DBLI PDF下載

功能描述
IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA
制造商
issi, integrated silicon solution inc
系列
-
包裝
托盤
零件狀態(tài)
在售
格式 - 存儲器
RAM
存儲器類型
DDR2 SDRAM
存儲容量
512M（64M x 8）
速度
333MHz
接口
并聯(lián)
電壓 - 電源
1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
封裝/外殼
60-TFBGA
供應商器件封裝
60-TWBGA（10.5x8）
標準包裝
50

IS43DR86400E-3DBLI 技術參數(shù)

IS43DR86400E-3DBL 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:512M（64M x 8）速度:333MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C（TC）封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標準包裝:50 IS43DR86400E-25DBLI 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:512M（64M x 8）速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標準包裝:50 IS43DR86400E-25DBL 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:512M（64M x 8）速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C（TC）封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標準包裝:50 IS43DR86400C-3DBL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43DR86400C-3DBLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43LD16320A-25BLI IS43LD16320A-25BLI-TR IS43LD16640A-25BL IS43LD16640A-25BLI IS43LD16640A-25BLI-TR IS43LD16640A-25BL-TR IS43LD16640A-3BL IS43LD16640A-3BLI IS43LD16640A-3BLI-TR IS43LD16640A-3BL-TR IS43LD16640C-18BLI IS43LD16640C-18BLI-TR IS43LD16640C-25BLI IS43LD16640C-25BLI-TR IS43LD32160A-25BLI IS43LD32160A-25BLI-TR IS43LD32320A-25BL IS43LD32320A-25BLI