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IS61WV102416EDBLL-10B2LI

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廣東濟德精密電子有限公司
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地址：東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓
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深圳市芯脈實業有限公司
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IS61WV102416EDBLL-10B2LI 技術參數

IS61WV102416DBLL-10TLI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 10NS 48TSOP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（1M x 16）速度:10ns 接口:并聯電壓 - 電源:2.4 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商器件封裝:48-TSOP I 標準包裝:50 IS61WV102416DBLL-10BLI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 10NS 48BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（1M x 16）速度:10ns 接口:并聯電壓 - 電源:2.4 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:48-TFBGA 供應商器件封裝:48-TFBGA（6x8）標準包裝:50 IS61WV102416BLL-10TLI-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 16M (1Mx16) 10ns Async 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV102416BLL-10TLI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 16M (1Mx16) 10ns Async 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV102416BLL-10MLI-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 16Mb 1Mbx16 8ns 3.3V Async 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV102416FBLL-10TLI IS61WV102416FBLL-10TLI-TR IS61WV10248BLL-10MLI IS61WV10248BLL-10MLI-TR IS61WV10248BLL-10TLI IS61WV10248BLL-10TLI-TR IS61WV10248EDBLL-10BLI IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR IS61WV10248EDBLL-10TLI IS61WV10248EDBLL-10TLI-TR IS61WV12816BLL-12TLI IS61WV12816BLL-12TLI-TR IS61WV12816DBLL-10BLI IS61WV12816DBLL-10BLI-TR IS61WV12816DBLL-10TLI IS61WV12816DBLL-10TLI-TR IS61WV12816EDBLL-10TLI IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR