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IS61WV10248BLL-10TLI..

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IS61WV10248BLL-10TLI.. 技術(shù)參數(shù)
  • IS61WV10248BLL-10TLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 1Mb x 8 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV10248BLL-10MLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 1Mb x 8 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV10248BLL-10MLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 1Mb x 8 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV102416DBLL-10TLI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 10NS 48TSOP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(1M x 16) 速度:10ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.4 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:48-TSOP I 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS61WV102416DBLL-10BLI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 10NS 48BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(1M x 16) 速度:10ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.4 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:48-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-TFBGA(6x8) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS61WV12816DBLL-10TLI IS61WV12816DBLL-10TLI-TR IS61WV12816EDBLL-10TLI IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR IS61WV1288EEBLL-10HLI IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR IS61WV1288EEBLL-10TLI IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR IS61WV204816ALL-10BLI IS61WV204816ALL-10BLI-TR IS61WV204816ALL-10TLI IS61WV204816ALL-10TLI-TR IS61WV204816BLL-10BLI IS61WV204816BLL-10BLI-TR IS61WV204816BLL-10TLI IS61WV204816BLL-10TLI-TR IS61WV20488BLL-10MLI IS61WV20488BLL-10MLI-TR
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