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IS66WV51216EBLL-70TLI

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IS66WV51216EBLL-70TLI
廣東濟德精密電子有限公司
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聯系人：吳
電話：18724450645
地址：東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓
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深圳市芯脈實業有限公司
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聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
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IS66WV51216EBLL-70TLI PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

IS66WV51216EBLL-70TLI 技術參數

IS66WV51216EBLL-55TLI 功能描述:IC SRAM 8MB 55NS 2.5-3.6V 44TSOP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:PSRAM（偽）存儲容量:8M（512K x 16）速度:55ns 接口:并聯電壓 - 電源:2.5 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）供應商器件封裝:44-TSOP II 標準包裝:135 IS66WV51216EBLL-55BLI 功能描述:IC SRAM 8MB 55NS 2.5-3.6V 48BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:PSRAM（偽）存儲容量:8M（512K x 16）速度:55ns 接口:并聯電壓 - 電源:2.5 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:48-TFBGA 供應商器件封裝:48-TFBGA（6x8）標準包裝:480 IS66WV51216DBLL-70TLI-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8Mb 512K x 16 70ns P靜態隨機存取存儲器 2.5v-3.6v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS66WV51216DBLL-70TLI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8Mb 512K x 16 70ns P靜態隨機存取存儲器 2.5v-3.6v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS66WV51216DBLL-70BLI-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8Mb 512K x 16 70ns P靜態隨機存取存儲器 2.5v-3.6v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS66WVC4M16EALL-7010BLI IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR IS66WVC4M16ECLL-7010BLI IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR IS66WVE1M16BLL-55BLI IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR IS66WVE1M16BLL-70BLI IS66WVE1M16BLL-70BLI-TR IS66WVE1M16EBLL-55BLI IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR IS66WVE1M16EBLL-70BLI IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR IS66WVE2M16ALL-7010BLI IS66WVE2M16ALL-7010BLI-TR IS66WVE2M16BLL-70BLI IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR IS66WVE2M16DBLL-70BLI IS66WVE2M16DBLL-70BLI-TR