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IXDD609SITR

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

IXDD609SITR
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
1800
IXYS
8-SOIC
22+
-

IXDD609SITR
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
17510
IXYS Integrated Circuits
SOIC-8
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

IXDD609SITR
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
IXYS Integrated Circuits
標準封裝
16+
-
假一罰十

IXDD609SITR
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機優先微信同號)0755-83267816
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
10001
IXYS Integrated Circuits
8-SOIC（0.154"，3.90mm
12+
-
授權分銷現貨熱賣

1/1頁 40條/頁共15條
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功能描述
功率驅動器IC 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
RoHS
否
制造商
Micrel
產品
MOSFET Gate Drivers
類型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升時間
下降時間
電源電壓-最大
30 V
電源電壓-最小
2.75 V
電源電流
最大功率耗散
最大工作溫度
+ 85 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-8
封裝
Tube

IXDD609SITR 技術參數

IXDD609SIATR 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 IXDD609SIA 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立輸入類型:非反相延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDD609SI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立輸入類型:非反相延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDD609PI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8-DIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立輸入類型:非反相延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDD609D2TR 功能描述:MOSFET 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube IXDD630MYI IXDD630YI IXDE504D2 IXDE504D2T/R IXDE504PI IXDE504SIA IXDE504SIAT/R IXDE509D1 IXDE509D1T/R IXDE509PI IXDE509SIA IXDE509SIAT/R IXDE514D1 IXDE514D1T/R IXDE514PI IXDE514SIA IXDE514SIAT/R IXDF402PI