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IXDN609PI

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  • 操作
IXDN609PI PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IC GATE DVR 9A NON-INV 8DIP
  • RoHS
  • 類別
  • 集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 50
  • 系列
  • -
  • 配置
  • 低端
  • 輸入類型
  • 非反相
  • 延遲時間
  • 40ns
  • 電流 - 峰
  • 9A
  • 配置數
  • 1
  • 輸出數
  • 1
  • 高端電壓 - 最大(自引導啟動)
  • -
  • 電源電壓
  • 4.5 V ~ 35 V
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA
  • 供應商設備封裝
  • TO-263
  • 包裝
  • 管件
IXDN609PI 技術參數
  • IXDN609CI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV TO220-5 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 IXDN604SITR 功能描述:功率驅動器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDN604SIATR 功能描述:功率驅動器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDN604SIA 功能描述:功率驅動器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDN604SI 功能描述:功率驅動器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDN614YI IXDN630CI IXDN630MCI IXDN630MYI IXDN630YI IXDN75N120 IXDP20N60B IXDP20N60BD1 IXDP35N60B IXDP610PI IXDP630PI IXDP631PI IXDR30N120 IXDR30N120D1 IXDR35N60BD1 IXDR502D1B IXDS430SI IXDS502D1B
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