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10F200

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  • 10F200-I/P
    10F200-I/P

    10F200-I/P

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • microchip

  • DIP

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • 10F200
    10F200

    10F200

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • MICROCHIP

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 10F200-I/P
    10F200-I/P

    10F200-I/P

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • MICROCHIP

  • DIP

  • 2006

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • 10F200-I/P
    10F200-I/P

    10F200-I/P

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • MICROCHIP

  • DIP

  • 2006

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • 10F200-I/OT
    10F200-I/OT

    10F200-I/OT

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 5000

  • MICROCHIP

  • DIP

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品

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  • 1
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10F200 技術(shù)參數(shù)
  • 10ETS12STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263AB（D2PAK） 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 10ETS12STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263AB（D2PAK） 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 10ETS12S 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263AB（D2PAK） 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 10ETS12FP 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AC 整包 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 10ETS12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 10FMN-BMTR-A-TB 10FMN-BMTR-A-TB(LF)(SN) 10FMN-BMTTN-A-TF 10FMN-BMTTN-A-TF(LF)(SN) 10FMN-BMTTR-A-TB 10FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 10FMN-SMT-A-TF 10FMN-SMT-A-TF(LF)(SN) 10FMS-1.0SP-TF(LF)(SN) 10G00 10G03 10G08 10G09 10G36 10GBE-PCS-O4-B1 10GD27 10GEEG3E 10GEEG3EM
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