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1EZ110D5E3

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Silicon 1 Watt Zener Diode
1EZ110D5E3 技術參數
  • 1EZ110D5/TR8 功能描述:DIODE ZENER 110V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):110V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):570 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1EZ110D5/TR12 功能描述:DIODE ZENER 110V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):110V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):570 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1EZ110D2E3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 110V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):570 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1EZ110D2E3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 110V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):570 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1EZ110D2/TR8 功能描述:DIODE ZENER 110V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):570 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1EZ120D10E3/TR8 1EZ120D2/TR12 1EZ120D2/TR8 1EZ120D2E3/TR12 1EZ120D2E3/TR8 1EZ120D5/TR12 1EZ120D5/TR8 1EZ120D5E3/TR12 1EZ120D5E3/TR8 1EZ120DE3/TR12 1EZ120DE3/TR8 1EZ130D/TR12 1EZ130D/TR8 1EZ130D10/TR12 1EZ130D10/TR8 1EZ130D10E3/TR12 1EZ130D10E3/TR8 1EZ130D2/TR12
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