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1N1190RA

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1N1190RA
    1N1190RA

    1N1190RA

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯系人:林小姐/歐陽先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址:深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室

    資質:營業執照

  • 6000

  • MICROSEMI

  • 原廠原裝

  • 23+

  • -
  • 只做原裝正品

  • 1N1190RA
    1N1190RA

    1N1190RA

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • VISHAY

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 1N1190RA
    1N1190RA

    1N1190RA

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • DO-5,DO-203AB

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
1N1190RA PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE STD REC 600V 40A DO-5
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 100
  • 系列
  • -
  • 二極管類型
  • 標準
  • 電壓 - (Vr)(最大)
  • 50V
  • 電流 - 平均整流 (Io)
  • 6A
  • 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大)
  • 1.4V @ 6A
  • 速度
  • 快速恢復 = 200mA(Io)
  • 反向恢復時間(trr)
  • 300ns
  • 電流 - 在 Vr 時反向漏電
  • 15µA @ 50V
  • 電容@ Vr, F
  • -
  • 安裝類型
  • 底座,接線柱安裝
  • 封裝/外殼
  • DO-203AA,DO-4,接線柱
  • 供應商設備封裝
  • DO-203AA
  • 包裝
  • 散裝
  • 其它名稱
  • *1N3879
1N1190RA 技術參數
  • 1N1190R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):35A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1190AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 40A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1190A 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 40A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1190 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):35A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1189R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):35A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1195A 1N1196 1N1196A 1N1197 1N1197A 1N1198 1N1198A 1N1199 1N1199A 1N1199AR 1N1199B 1N1199BR 1N1199C 1N1199R 1N1200 1N1200A 1N1200AR 1N1200B
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