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1N2129AMIX

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1N2129AMIX 技術參數

1N2129A 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2128AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2128A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2059 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 250A DO205AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:250A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 250A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:17mA @ 300V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-205AB，DO-9，接線柱供應商器件封裝:DO-205AB，DO-9 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:10 1N1616R 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N2137A 1N2137AR 1N2138A 1N2138AR 1N270 1N2804A 1N2804B 1N2804RB 1N2805A 1N2805B 1N2805RB 1N2806A 1N2806B 1N2806RB 1N2807A 1N2807B 1N2807RB 1N2808A