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1N2279

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  • 1N2279
    1N2279

    1N2279

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • DO-4,DO-203AA

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 1N2279
    1N2279

    1N2279

  • 深圳市興合盛科技發展有限公司
    深圳市興合盛科技發展有限公司

    聯系人:銷售經理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區華強北街道華航社區中航路都會B座10012M

    資質:營業執照

  • 26550

  • MICROSEMI

  • 正品封裝

  • 23+

  • -
  • 正規商現貨供應

  • 1N2279
    1N2279

    1N2279

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 86530

  • MICROSEMI

  • MODULE

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!!

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
1N2279 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 800V 40A 2PIN DO-5 - Bulk
1N2279 技術參數
  • 1N2138AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):60A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 60A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2138A 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):60A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 60A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2137AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 500V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):500V 電流 - 平均整流(Io):60A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 60A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2137A 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):500V 電流 - 平均整流(Io):60A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 60A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2135AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 400V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):60A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 60A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2806RB 1N2807A 1N2807B 1N2807RB 1N2808A 1N2808B 1N2808RB 1N2809A 1N2809B 1N2809RB 1N2810A 1N2810B 1N2810RB 1N2811A 1N2811B 1N2811RB 1N2812A 1N2812B
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