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1N3012RD

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 10 WATT ZENER DIODES
1N3012RD 技術(shù)參數(shù)
  • 1N3012RB 功能描述:DIODE ZENER 160V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):160V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 121.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3012B 功能描述:DIODE ZENER 160V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):160V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 121.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3012A 功能描述:DIODE ZENER 160V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):160V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 121.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3011RB 功能描述:DIODE ZENER 150V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):150V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):175 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 114V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3011B 功能描述:DIODE ZENER 150V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):150V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):175 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 114V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3016BUR-1 1N3017B-1 1N3017BUR-1 1N3018B-1 1N3018BUR-1 1N3019B-1 1N3019BUR-1 1N3020B-1 1N3020BUR-1 1N3021B-1 1N3021BUR-1 1N3022B-1 1N3022BUR-1 1N3023B-1 1N3023BUR-1 1N3024B-1 1N3024BUR-1 1N3025B-1
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