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1N3021ATR

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
1 WATT METAL CASE ZENER DIODES

1N3021ATR 技術(shù)參數(shù)

1N3020BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 10V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3020B-1 功能描述:DIODE ZENER 10V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3019BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 6.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3019B-1 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 6.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3018BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3025BUR-1 1N3026B-1 1N3026BUR-1 1N3027B-1 1N3027BUR-1 1N3028B-1 1N3028BUR-1 1N3029B-1 1N3029BUR-1 1N3030B-1 1N3030BUR-1 1N3031B-1 1N3031BUR-1 1N3032B-1 1N3032BUR-1 1N3033B-1 1N3033BUR-1 1N3034B-1