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1N3023ATR

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 1 WATT METAL CASE ZENER DIODES
1N3023ATR 技術參數
  • 1N3022BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 12V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):9 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N3022B-1 功能描述:DIODE ZENER 12V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):9 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 1N3021BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N3021B-1 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 1N3020BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 10V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N3027BUR-1 1N3028B-1 1N3028BUR-1 1N3029B-1 1N3029BUR-1 1N3030B-1 1N3030BUR-1 1N3031B-1 1N3031BUR-1 1N3032B-1 1N3032BUR-1 1N3033B-1 1N3033BUR-1 1N3034B-1 1N3034BUR-1 1N3035B-1 1N3035BUR-1 1N3036B-1
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