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1N3025A

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 1 WATT METAL CASE ZENER DIODES
1N3025A 技術(shù)參數(shù)
  • 1N3024BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 15V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:14 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 11.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3024B-1 功能描述:DIODE ZENER 15V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:14 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 11.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3023BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 13V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3023B-1 功能描述:DIODE ZENER 13V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3022BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 12V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3029BUR-1 1N3030B-1 1N3030BUR-1 1N3031B-1 1N3031BUR-1 1N3032B-1 1N3032BUR-1 1N3033B-1 1N3033BUR-1 1N3034B-1 1N3034BUR-1 1N3035B-1 1N3035BUR-1 1N3036B-1 1N3036BUR-1 1N3037B-1 1N3037BUR-1 1N3038B-1
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