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1N3026CTR

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 1 WATT METAL CASE ZENER DIODES
1N3026CTR 技術參數
  • 1N3026BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N3026B-1 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:1 1N3025BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 16V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:16 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 12.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N3025B-1 功能描述:DIODE ZENER 16V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:16 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 12.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:1 1N3024BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 15V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:14 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 11.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N3031BUR-1 1N3032B-1 1N3032BUR-1 1N3033B-1 1N3033BUR-1 1N3034B-1 1N3034BUR-1 1N3035B-1 1N3035BUR-1 1N3036B-1 1N3036BUR-1 1N3037B-1 1N3037BUR-1 1N3038B-1 1N3038BUR-1 1N3039B-1 1N3039BUR-1 1N3040B-1
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