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1N3038CTR

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1N3038CTR 技術(shù)參數(shù)

1N3038BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:110 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 42.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3038B-1 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:110 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 42.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3037BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 38.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3037B-1 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 38.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3036BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 35.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3043BUR-1 1N3044B-1 1N3044BUR-1 1N3045B-1 1N3045BUR-1 1N3046BUR-1 1N3064 1N3064_T50R 1N3064TR 1N3070 1N3070_T50R 1N3070-1 1N3070TR 1N3070UR-1 1N3085 1N3087R 1N3155 1N3155-1