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1N3039

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

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1N3039 技術參數
  • 1N3038BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):110 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 42.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N3038B-1 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):110 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 42.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 1N3037BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):95 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 38.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N3037B-1 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):95 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 38.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 1N3036BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N3043BUR-1 1N3044B-1 1N3044BUR-1 1N3045B-1 1N3045BUR-1 1N3046BUR-1 1N3064 1N3064_T50R 1N3064TR 1N3070 1N3070_T50R 1N3070-1 1N3070TR 1N3070UR-1 1N3085 1N3087R 1N3155 1N3155-1
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