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1N3595-1HARDGLASS

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1N3595-1HARDGLASS PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Standard Rectifier (trr more than 500ns)
1N3595-1HARDGLASS 技術參數
  • 1N3595-1 功能描述:DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):125V 電流 - 平均整流(Io):150mA(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1nA @ 125V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3595 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1nA @ 125V 不同?Vr,F 時的電容:8pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:2,000 1N3534A 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N3533A 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):130 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N3532A 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N3611GP-M3/54 1N3611GP-M3/73 1N3612 1N3612GP-E3/54 1N3612GP-E3/73 1N3612GPHE3/54 1N3612GPHE3/73 1N3612GP-M3/54 1N3612GP-M3/73 1N3613 1N3613GP-E3/54 1N3613GP-E3/73 1N3613GPHE3/54 1N3613GPHE3/73 1N3613GP-M3/54 1N3613GP-M3/73 1N3614 1N3614GP-M3/54
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