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1N3611GP-E3/54

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1N3611GP-E3/54
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

1N3611GP-E3/54
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業執照
6158
Vishay Semiconductors
標準封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

1N3611GP-E3/54
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
5500
GENERAL SEMICONDUCTOR (VI
主營優勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

1/1頁 40條/頁共10條
1

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1N3611GP-E3/54 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
整流器 200 Volt 1.0 Amp
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復時間
1.2 us
正向連續電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N3611GP-E3/54 技術參數

1N3611 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3600 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3595US 功能描述:DIODE GEN PURP 4A DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:- 電流 - 平均整流（Io）:4A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1nA @ 125V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N3595UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 125V 150MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 電流 - 平均整流（Io）:150mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1nA @ 125V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3595TR 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1nA @ 125V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 1N3612GPHE3/73 1N3612GP-M3/54 1N3612GP-M3/73 1N3613 1N3613GP-E3/54 1N3613GP-E3/73 1N3613GPHE3/54 1N3613GPHE3/73 1N3613GP-M3/54 1N3613GP-M3/73 1N3614 1N3614GP-M3/54 1N3614GP-M3/73 1N3643 1N3644 1N3645 1N3646 1N3647