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1N3671RA

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功能描述
DIODE STD REC 800V 12A DO-4
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器
系列
-
標準包裝
100
系列
-
二極管類型
標準
電壓 - (Vr)（最大）
50V
電流 - 平均整流 (Io)
6A
電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢復 = 200mA（Io）
反向恢復時間(trr)
300ns
電流 - 在 Vr 時反向漏電
15µA @ 50V
電容@ Vr, F
-
安裝類型
底座，接線柱安裝
封裝/外殼
DO-203AA，DO-4，接線柱
供應商設備封裝
DO-203AA
包裝
散裝
其它名稱
*1N3879

1N3671RA 技術參數

1N3671AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 12A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N3671A 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 12A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N3671 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N3647 功能描述:DIODE GEN PURP 3KV 600MA AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:3000V 電流 - 平均整流（Io）:600mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:5V @ 250mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2.5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 3000V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3646 功能描述:DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1750V（1.75kV）電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:5V @ 250mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1750V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:S，軸向供應商器件封裝:S，軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3765R 1N3766 1N3766R 1N3767 1N3767R 1N3768 1N3768R 1N3821 1N3821A-1 1N3821AUR-1 1N3822A-1 1N3822AUR-1 1N3823A-1 1N3823AUR-1 1N3824A-1 1N3824AUR-1 1N3825A-1 1N3825AUR-1