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1N3822AUR-1TR

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON 1 WATT ZENER DIODES

1N3822AUR-1TR 技術參數

1N3822AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N3822A-1 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1 1N3821AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N3821A-1 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1 1N3821 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 1W DO-41 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1 1N3827AUR-1 1N3828A-1 1N3879 1N3879R 1N3880 1N3880R 1N3881 1N3881R 1N3882 1N3882R 1N3883 1N3883R 1N3889 1N3889R 1N3890 1N3890A 1N3890AR 1N3890R