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1N3890A_07

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Fast Recovery Rectifier

1N3890A_07 技術參數

1N3890A 功能描述:FAST RECOVERY RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N3890 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 12A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3889R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 12A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3889 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 12A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3883R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3892R 1N3893 1N3893A 1N3893AR 1N3893R 1N3899 1N3899R 1N3900 1N3900R 1N3901 1N3901R 1N3902 1N3902R 1N3903 1N3903R 1N3909 1N3909A 1N3909AR