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1N4099UR-1JANTXV-HSD

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述

1N4099UR-1JANTXV-HSD 技術參數

1N4099UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N4099UR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5.17V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N4099 TR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 250MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N4099 BK 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 250MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N4099 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 400MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.17V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N4102 (DO35) 1N4102-1 1N4102UR 1N4102UR-1 1N4103 1N4103 (DO35) 1N4103-1 1N4103UR 1N4103UR-1 1N4104 1N4104 (DO35) 1N4104 TR 1N4104-1 1N4104UR 1N4104UR-1 1N4105 1N4105 (DO35) 1N4105UR