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1N4102D

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

1N4102D 技術參數

1N4102-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N4102 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 8.7V 400MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.61V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N4101UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N4101UR 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.24V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N4101 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 400MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.24V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N4104 TR 1N4104-1 1N4104UR 1N4104UR-1 1N4105 1N4105 (DO35) 1N4105UR 1N4105UR-1 1N4106 1N4106 (DO35) 1N4106-1 1N4106UR 1N4106UR-1 1N4107 1N4107 (DO35) 1N4107-1 1N4107UR 1N4107UR-1