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1N4150T-77

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 1
1N4150T-77 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) SWITCHING 26mm
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 產(chǎn)品
  • Switching Diodes
  • 峰值反向電壓
  • 600 V
  • 正向連續(xù)電流
  • 200 A
  • 最大浪涌電流
  • 800 A
  • 配置
  • 恢復(fù)時(shí)間
  • 2000 ns
  • 正向電壓下降
  • 1.25 V
  • 最大反向漏泄電流
  • 300 uA
  • 最大功率耗散
  • 工作溫度范圍
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • ISOTOP
  • 封裝
  • Tube
1N4150T-77 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4150-1 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4150_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:6ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30,000 1N4150_T50A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:6ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4150_T26A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:6ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4150_S62Z 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:6ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 1N4150W-HE3-08 1N4150W-HE3-18 1N4151 1N4151_T50R 1N4151TAP 1N4151TR 1N4151W-E3-08 1N4151W-E3-18 1N4151W-G3-08 1N4151W-G3-18 1N4151W-HE3-08 1N4151W-HE3-18 1N4151WS-E3-08 1N4151WS-E3-18 1N4151WS-G3-08 1N4151WS-G3-18 1N4151WS-HE3-08 1N4151WS-HE3-18
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