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1N4246GP/56

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1N4246GP/56 技術參數

1N4246 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4245GP-M3/73 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO-204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:* 零件狀態:停產標準包裝:3,000 1N4245GP-M3/54 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO-204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:* 零件狀態:停產標準包裝:5,500 1N4245 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4154TR_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 30mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:10,000 1N4247GPHE3/54 1N4247GPHE3/73 1N4247GP-M3/54 1N4247GP-M3/73 1N4248 1N4248GP-E3/54 1N4248GP-E3/73 1N4248GPHE3/54 1N4248GPHE3/73 1N4248GP-M3/54 1N4248GP-M3/73 1N4249 1N4249GP-E3/54 1N4249GP-E3/73 1N4249GPHE3/54 1N4249GPHE3/73 1N4249GP-M3/54 1N4249GP-M3/73