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1N4448VC

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1N4448VC 技術參數
  • 1N4448TR_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:10,000 1N4448TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大） 標準包裝:1 1N4448-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-50°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4448TAP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:720mV @ 5mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:8ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大） 標準包裝:1 1N4448-T 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:生命周期結束 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:10,000 1N4448WQ-7-F 1N4448WS 1N4448WS RRG 1N4448WS-7 1N4448WS-7-F 1N4448WS-E3-08 1N4448WS-E3-18 1N4448WSF-7 1N4448WSFQ-7 1N4448WS-G3-08 1N4448WS-G3-18 1N4448WS-HE3-08 1N4448WS-HE3-18 1N4448WSQ-7-F 1N4448WSTR 1N4448WT 1N4448W-TP 1N4448WTR
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