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1N4611

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

1N4611 技術參數

1N4608 功能描述:DIODE SW 85V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 400mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:10ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4607 功能描述:DIODE SW 85V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 400mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:10ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 1N459TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 175V 不同?Vr，F 時的電容:6pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 1N459-T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:最後搶購二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 175V 不同?Vr，F 時的電容:6pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）基本零件編號:1N459 標準包裝:1 1N459ATR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 175V 不同?Vr，F 時的電容:6pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 1N4616 TR 1N4616-1 1N4616UR 1N4617 BK 1N4617 TR 1N4617-1 1N4617UR 1N4618 BK 1N4618 TR 1N4618-1 1N4618UR 1N4619 BK 1N4619 TR 1N4619-1 1N4619UR 1N4620 BK 1N4620 TR 1N4620-1