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1N4712D

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Silicon 250mW Zener Diodes

1N4712D 技術(shù)參數(shù)

1N4712 TR 功能描述:DIODE ZENER 28V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:28V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 21.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4712 BK 功能描述:DIODE ZENER 28V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:28V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 21.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N4712 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 28V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:28V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 21.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4712 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4711UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4714 TR 1N4714UR-1 1N4715 1N4715 (DO35) 1N4715 BK 1N4715 TR 1N4715UR-1 1N4716 1N4716 (DO35) 1N4716 BK 1N4716 TR 1N4716UR-1 1N4717 1N4717 (DO35) 1N4717 TR 1N4717UR-1 1N4720 1N4722