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1N4717D

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Silicon 250mW Zener Diodes

1N4717D 技術參數

1N4717 TR 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 32.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N4717 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 32.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N4717 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N4716UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N4716 TR 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 29.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N4728A G 1N4728A TR 1N4728A,113 1N4728A,133 1N4728A_S00Z 1N4728A_T50A 1N4728A_T50R 1N4728A-T 1N4728A-T50A 1N4728ATA 1N4728A-TAP 1N4728A-TP 1N4728ATR 1N4728A-TR 1N4728ATR_S00Z 1N4728AUR 1N4728G A0G 1N4728G R0G