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1N4732A133

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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • 制造商
  • NXP
  • 功能描述
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
1N4732A133 技術參數
  • 1N4732A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 1N4732A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4732A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W 5% DO-41 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 1N4732A,133 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4732A,113 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4732A-TP 1N4732ATR 1N4732A-TR 1N4732AUR 1N4732CE3/TR13 1N4732CP/TR12 1N4732CP/TR8 1N4732CPE3/TR12 1N4732CPE3/TR8 1N4732E3/TR13 1N4732G A0G 1N4732G R0G 1N4732P/TR12 1N4732P/TR8 1N4732PE3/TR12 1N4732PE3/TR8 1N4733 G 1N4733A
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