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1N4736D

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  • Silicon 1 Watt Zener Diodes Plastic DO-41
1N4736D 技術參數(shù)
  • 1N4736CPE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):3.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1N4736CPE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):3.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1N4736CP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):3.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1N4736CP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):3.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1N4736CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):3.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 1N4737A BK 1N4737A G 1N4737A TR 1N4737A,113 1N4737A,133 1N4737A_S00Z 1N4737A_T50A 1N4737A_T50R 1N4737ADO41E3 1N4737AE3/TR13 1N4737AP/TR12 1N4737AP/TR8 1N4737APE3/TR12 1N4737APE3/TR8 1N4737A-T 1N4737A-T50A 1N4737ATA 1N4737A-TAP
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