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1N4750AG

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1N4750AG 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4750AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4750A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 1N4750A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4750A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W 5% DO-41 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N4750A TR 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4750A-T50A 1N4750ATA 1N4750A-TAP 1N4750A-TP 1N4750ATR 1N4750A-TR 1N4750AUR 1N4750CE3/TR13 1N4750CP/TR12 1N4750CP/TR8 1N4750CPE3/TR12 1N4750CPE3/TR8 1N4750E3/TR13 1N4750G A0G 1N4750G R0G 1N4750P/TR12 1N4750P/TR8 1N4750PE3/TR12
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