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1N4754ADI

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • DIODES

  • DO-41

  • 11+

  • -
  • 100%進口原裝正品,只做原裝

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1N4754ADI 技術參數
  • 1N4754A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 1N4754A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4754A TR 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4754A R1G 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 1N4754A R0G 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 1N4754APE3/TR8 1N4754A-T 1N4754A-T50A 1N4754ATA 1N4754A-TAP 1N4754A-TP 1N4754A-TR 1N4754AUR 1N4754CE3/TR13 1N4754CP/TR12 1N4754CP/TR8 1N4754CPE3/TR12 1N4754CPE3/TR8 1N4754E3/TR13 1N4754G A0G 1N4754G R0G 1N4754P/TR12 1N4754P/TR8
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