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1N5224BTA

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功能描述
DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35
制造商
smc diode solutions
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
有效
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
2.8V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
30 歐姆
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
75μA @ 950mV
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
1.1V @ 200mA
工作溫度
200°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應商器件封裝
DO-35
標準包裝
5,000

1N5224BTA 技術參數

1N5224B-T 功能描述:DIODE ZENER 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:生命周期結束電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1400 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5224B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5224B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5224B TR 功能描述:DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5224B A0G 功能描述:DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5225B A0G 1N5225B BK 1N5225B TR 1N5225B_T50A 1N5225B_T50R 1N5225BT 1N5225B-T 1N5225BTA 1N5225B-TAP 1N5225B-TP 1N5225B-TR 1N5225BUR-1 1N5225C-TAP 1N5225C-TR 1N5225TA 1N5226A 1N5226A (DO-35) 1N5226B