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1N5225BUR

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 500 mW GLASS SURFACE MOUNT ZENER DIODES
1N5225BUR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5225B-TR 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5225B-TP 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5225B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5225BTA 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 950mV 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N5225B-T 功能描述:DIODE ZENER 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5226B BK 1N5226B TR 1N5226B_S00Z 1N5226B_T50R 1N5226B-G 1N5226B-T 1N5226BTA 1N5226B-TAP 1N5226B-TP 1N5226BTR 1N5226B-TR 1N5226BUR-1 1N5226C-TAP 1N5226C-TR 1N5226TA 1N5227A (DO-35) 1N5227B 1N5227B (DO-35)
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