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1N5226BDI

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • DIODES

  • DO-35

  • 11+

  • -

  • 100%進口原裝正品，只做原裝

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  • 1
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1N5226BDI 技術參數
  • 1N5226B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5226B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5226B TR 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5226B BK 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5226B A0G 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5226C-TR 1N5226TA 1N5227A (DO-35) 1N5227B 1N5227B (DO-35) 1N5227B A0G 1N5227B TR 1N5227B_T50A 1N5227B_T50R 1N5227B-T 1N5227BTA 1N5227B-TAP 1N5227B-TP 1N5227BTR 1N5227B-TR 1N5227BUR-1 1N5227C-TAP 1N5227C-TR
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